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TO-220AB
Vishay Siliconix
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INCHES
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A
b
b(1)
c
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e(1)
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4.25
0.69
1.20
0.36
14.85
10.04
2.41
4.88
1.14
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1
2
3
J(1)
2.41
2.92
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L
L(1)
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0.526
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0.150
M *
?P
Q
3.54
2.60
3.94
3.00
0.139
0.102
0.155
0.118
b(1)
ECN: T13-0724-Rev. O, 14-Oct-13
DWG: 5471
Note
* M = 1.32 mm to 1.62 mm (dimension including protrusion)
Heatsink hole for HVM
C
b
e
J(1)
e(1)
Revison: 14-Oct-13
1
Document Number: 71195
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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IRF820-220 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
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IRF820ALPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube